polysilicon cinereum nitorem metallicum et densitatem 2.32~2.34g/cm3. punctum 1410℃. fervens 2355℃. Solubilis in mixtione acidi hydrofluorici et acidi nitrici, insolubilis in aqua, acido nitrico et acido hydrochlorico. Duritia eius inter germanium et vicum est. Frigidus est in locus temperatus et facile frangitur incisa. Fit ductile cum calefactum super 800℃et manifestam deformationem ostendit in 1300 .℃. Inefficax est in locus temperatura et cum oxygenio, nitrogen, sulphure, etc. in calidis temperaturis reflectitur. In statu summus temperatus fusilis, magnam habet chemicam actionem et cum quavis fere materia agere potest. Proprietates semiconductores habet et est materia gravissima et praestantissima semiconductor, sed copia immunditiarum vestigium conductivitatem suam magnopere afficere potest. In electronicis industriam late adhibetur sicut materia fundamentalis ad radios semiconductores fabricandos, commentariis taeniolis, leonibus, color TV, commentariis electronicis, et computatoribus electronicis. Nascitur a chlorinando pulveris Pii arida et gasi hydrogenii chloridi sicci sub certis conditionibus, et postea densando, distillando et minuendo.
polysilicon uti potest sicut materia rudis ad trahendum unum cristallum silicon. Differentia inter polysilicon et silicon crystallinum maxime manifestatur in proprietatibus physicis. Exempli gratia, anisotropia proprietatum mechanicarum, proprietatum opticorum et proprietatum thermarum longe minus conspicuum est quam cristalli unius pii; Secundum proprietates electricas, conductivity polysilicon crystallorum longe minus notabilis est quam Pii unius cristalli, et etiam nullam fere conductivity habet. In terminis chemicis, minima differentia est inter utrumque. polysilicon et unicum cristallum silicon specie inter se distingui possunt, sed identificatio realis determinanda est per directionem planam cristallina, genus conductivity et resistivity crystallini. polysilicon est materia rudis directa ad productionem unius cristalli Pii, et est materia fundamentalis notitiarum electronicarum ad machinas hodiernas semiconductoris sicut intelligentiae artificialis, activitatis, processus informationis, et conversio photoelectricae.
Post tempus: Oct-21-2024
