1.Production methodus Pii metallici
Pii metallici praeparatio per methodum carbothermalem
Methodus carbothermalis frequentissimus usus est in praeparatione siliconis metallici.Praecipuum principium est silicam et carbonis pulverem agere in caliditate caliditatis ad generandum silicon metallicum et quamdam quantitatem dioxidis carbonis.Praecipuae gradus siliconis metallicae praeparandi per methodum carbothermalem sunt hae.
(1) Silica et Coke miscentur, ut graphite pii mixtionem faciant.
(2) Mixtionem in fornacem electricam summus temperatura et calefacit, ut supra 1500°C, ad generandum silicon metallicum et quandam quantitatem dioxidis carbonis.
Praeparatio siliconis metallici per methodum silicothermal
Silicothermy est methodus reducendi oxydi siliconis et metallici ad metalla.Praecipuum principale est agere oxydatum siliconis et metalli in calidis temperaturis ad generandum silicones metallicam et quandam quantitatem oxydorum.Praecipua vestigia silothermalium silothermalium ad metallicam praeparandam methodum hae sunt.
(1) Misce oxydatum pii et metalli ad mixturam ferrosilicon.
(2) Mixtura ferrosilicon in fornacem electricam calidissimam pone et calefacies, ut supra 1500°C, ad generandum silicon metallicum et oxydi quantitatem quandam.
Pii metallici praeparatio per modum depositionis vaporum
Depositio vaporis methodus est methodus gasi in caliditate reflecti ad silicon metallicum generandum.Praecipuum eius principium est gas et silicon gas in caliditate metallica agere ad generandum silicon metallicum et quaedam gasi quantitatem.Praecipuae gradus depositionis metallicae Pii per vaporem conficiendae sunt hae.
(1) Misce gas et silicon gas metallum ad gas reactionem.
(2) Reactorem gasi injiciunt in reactorem et calefaciunt ad caliditatem caliditatem ad generandum silicon metallicum et quaedam gasi quantitatem.
2. applicationes metallicae Pii
Semiconductor materiae
Ut magna materia semiconductor, metallum silicon in campo electronicorum late adhibetur.Materiae semiconductoris fundamentum electronicarum partium sunt, incluso insulatores, conductores, semiconductores, superconductores, etc., e quibus materiae semiconductores frequentissime utuntur.Ob speciales physicas proprietates siliconis metallicae, magna materia rudis facta est ad compositiones semiconductoris producendas.
Firmus status electronic components
Silicon metallum late quoque in componentibus electronicis solido-statu adhibetur.Exempli gratia, metalli Pii adhiberi potest ad efficiendum transistores metalli pii agri-effectus, metalli Pii diodes levis emittens, diodes metalli Pii, etc.
mittentes agri
Ut idealis fusurarum materia, metalli pii etiam magnas applicationes in agro mittentes habent.Industria mittentes fundamentum est machinae industriae fabricandae, silicon metallicus sicut materia iactandi ad effectum dejectiones emendare et efficientiam productionis emendare.Silicon metallum dejectiones proprietates altae stabilitatis, altae fortitudinis, altae duritiae, altae conductionis scelerisque, magno labore resistentiae, etc., et late in automobile, machina, ferriviaria et aliis agris utuntur.
Metallurgy
Silicon metallum late etiam in agro metallico est.Metallum Siliconis magna materia rudis est ad producendum gradum silicon electronicum, quod late in cellulis photovoltaicis, semiconductoribus machinis, cellulis solis et aliis campis technicis solaris magni momenti est et nova materia opportuna est.Praeter materiam materiae ad fabricandum gradus siliconis electronici, silicon metallicum adhiberi potest etiam ad mixtiones, silicatas materiae cementes fabricare, etc.
Ad summam, metallum siliconis materia magna est, quae late adhibetur, multa involvit agros, ut electronica, fusura, metallurgia et cetera.Cum continua evolutione et progressu scientiae et technologiae, prospectus metallica Pii latior erit.
Post tempus: Dec-15-2023
